دانلود ترجمه مقاله یک طراحی نوآورانه گالیوس CNTFET به عنوان پایه ایی برای منطق چند ارزشی
ترجمه در قالب فایل Word و قابل ویرایش میباشد
سال انتشار:2012
تعداد صفحه ترجمه:21
تعداد صفحه فایل انگلیسی:11
موضوع انگلیسی :A novel, efficient CNTFET Galois design
as a basic ternary
موضوع فارسی:دانلود ترجمه مقاله یک طراحی نوآورانه گالیوس CNTFET به عنوان پایه ایی برای منطق چند ارزشی
چکیده انگلیسی:Abstract: This paper presents arithmetic operations, including addition and multiplication, in
the ternary Galois field through carbon nanotube field-effect transistors (CNTFETs). Ternary
logics have received considerable attention among all the multiple-valued logics. Multiple-
valued
logics are an alternative to common-practice binary logic, which mostly has been expanded from
ternary (three-valued) logic. CNTFETs are used to improve Galois field circuit performance.
In this study, a novel design technique for ternary logic gates based on CNTFETs was used to
design novel, efficient Galois field circuits that will be compared with the existing resistive-load
CNTFET circuit designs. In this paper, by using carbon nanotube technology and avoiding the
use of resistors, we will reduce power consumption and delay, and will also achieve a better
product. Simulation results using HSPICE illustrate substantial improvement in speed and
power consumption
چکیده فارسی:
این مقاله به ارائه عملیات های حسابی می پردازد که دربرگیرنده ضرب کننده و جمع کننده در حوزه گالیوس سه گانه از طریق ترانریشتور های اثر میدانی نانو تیوب کربنی (CNTFET ) است . منطق های سه گانه در میان کلیه منطق های چند ارزشی بیشتر مورد توجه است . منطق های چند ارزشی جایگزین خوبی برای منطق دودیی مرسوم است که به صورت گسترده ایی از منطق سه گانه چند ارزشی استفاده می کنند . CNTFET ها برای بالا بردن و بهبود کارایی مدار اثر گالیوس استفاده می شوند . در این پژوهش یک تکنیک طراحی نوآورانه برای گیت های منطق سه گانه مبتنی بر CNTFET ها برای طراحی مدارات اثر گالیوس استفاده شده است که در مقایسه با طراحی مدارات CNTFET بار مقاومت دارای کارایی بهتری هستند . در این مقاله با استفاده از تکنولوژی نانو تیوب کربن و عدم استفاده از مقاومت ها، توانسته ایم توان مصرفی و تاخیر را کاهش دهیم و به تولید بهتری دست یابیم . نتایج حاصل از شبیه سازی که با استفاده از HSPICE انجام شده است افزایش بهبود در سرعت مدار و انرژی مصرفی را نشان می دهد .
واژگان کلیدی : میدان گالیوس ، CNTFET ، طراحی مدارات MVL
