دانلود ترجمه مقاله طراحی یک سلول حافظه ایی ایستای سه گانه با استفاده از ترانزیستور ها
ترجمه در قالب فایل Word و قابل ویرایش میباشد
سال انتشار:2012
تعداد صفحه ترجمه:15
تعداد صفحه فایل انگلیسی:5
موضوع انگلیسی :Design of a ternary static memory cell using carbon nanotube-based transistors
موضوع فارسی:دانلود ترجمه مقاله طراحی یک سلول حافظه ایی ایستای سه گانه با استفاده از ترانزیستور ها
چکیده انگلیسی:In this Letter, the authors investigate the use of carbon nanotube-based field effect transistors (CNTFET) for the design of a ternary static
random access memory (SRAM). The authors consider two designs – one using 8 transistors and the other using 14 transistors. Using
circuit simulation models for CNTFETs, the authors show that both designs produce a functional ternary SRAM cell. The authors also
measure the delay and power of the read-and-write operation of the ternary SRAM created using both models and show that the delays are
comparable
چکیده فارسی:در این مقاله نویسندگان آن استفاده از ترانزیستور های اثر میدانی مبتنی بر نانو تیوب کربن (CNTFET ) را برای طراحی یک حافظه RAM ایستای سه گانه بررسی کرده اند . محققان این مقاله دو طراحی ، یکی با 8 ترانزیستور و دیگری را با 14 ترانزیستور در نظر گرفته اند . با استفاده از مدل شبیه سازی مداری برای CNTFET ها ، محققان نشان داده اند که هر دو طراحی مذکور ، یک سلول SRAM سه گانه کاربردی را تولید می کنند . همچنین نویسند گان این مقاله ، تاخیر و توان عملیات خواندن و نوشتن SRAM سه گانه تولید شده را با استفاده از هر دو مدل ایجاد کرده اند و نشان داده اند که تاخیر بوجود آمده قابل مقایسه است .
