دانلود ترجمه مقاله متدی عمومی برای طراحی مدارات منطقی چند ارزشی مبتنی بر CNTFET
ترجمه در قالب فایل Word و قابل ویرایش میباشد
سال انتشار:2013
تعداد صفحه ترجمه:33
تعداد صفحه فایل انگلیسی:15
موضوع انگلیسی :A universal method for designing low-power carbon
nanotube FET-based multiple-valued logic circuits
موضوع فارسی:دانلود ترجمه مقاله متدی عمومی برای طراحی مدارات منطقی چند ارزشی مبتنی بر CNTFET
چکیده انگلیسی:Abstract: This study presents new low-power multiple-valued logic (MVL) circuits for nanoelectronics. These carbon nanotube
field effect transistor (FET) (CNTFET)-based MVL circuits are designed based on the unique characteristics of the CNTFET
device such as the capability of setting the desired threshold voltages by adopting correct diameters for the nanotubes as well
as the same carrier mobility for the P- and N-type devices. These characteristics make CNTFETs very suitable for designing
high-performance multiple-Vth circuits. The proposed MVL circuits are designed based on the conventional CMOS
architecture and by utilising inherently binary gates. Moreover, each of the proposed CNTFET-based ternary circuits includes
all the possible types of ternary logic, that is, negative, positive and standard, in one structure. The method proposed in this
study is a universal technique for designing MVL logic circuits with any arbitrary number of logic levels, without static
power dissipation. The results of the simulations, conducted using Synopsys HSPICE with 32 nm-CNTFET technology,
demonstrate improvements in terms of power consumption, energy efficiency, robustness and specifically static power
dissipation with respect to the other state-of-the-art ternary and quaternary circuits.
چکیده فارسی:این پژوهش به طراحی مدارات منطقی چند ارزشی ( MVL ) کم مصرف برای نانو الکترونیک ها می پردازد . ترانزیستور های اثر میدانی نانو تیوب کربن و مدارات MVL مبتنی بر آنها براساس خواص منحصر بفرد دستگاههای VNTFET نظیر قابلیت تنظیم ولتاژ های استانه دلخواه از طریق تنظیم قطر مناسی برای نانو تیوب ها و همچنین تحرک یکسان حامل های نوع N و P طراحی شده اند . این خصوصیات سبب شده اند تا CNTFET ها به نمونه مناسبی برای طراحی مدارات چند استانه ایی با کارایی بالایی مبدل شوند . مدارات MVL پیشنهاد شده براساس COMS مرسوم و با بهر گیری از ماهیت گیت های باینری طراحی شده است . علاوه بر آن هر یک از مدارات سه گانه مبتنی بر CNTFET پیشنهاد شده دربرگیرنده کلیه حالات ممکن از منطق سه گانه است ( یعنی منفی ، مثبت و استاندارد ) . روشی که در این مقاله پیشنهاد شده است یک تکنیک عمومی برای طراحی مدارات منطق سه گانه MVL با تعداد دلخواهی از سطوح منطقی و بدون اتلاف توان استاتیکی است . نتایج حاصل از شبیه سازی ها که با استفاده از HSPICE و تکنولوژی CNTFET 32 نانو متری انجام شده است ،بهبود را در تون مصرفی ، کارایی انرژی ، قدرت و خصوصا اتلاف توان استاتیکی را با توجه به سایر مدارات سه گانه و چهار گانه موجود را نشان میدهد .
