دانلود ترجمه مقاله شبیه سازی مشخصات الکتریکی ترانزیستور دوقطبی دوبل هتروجانکشن
ترجمه در قالب فایل Word و قابل ویرایش میباشد
سال انتشار:2012
تعداد صفحه ترجمه:7
تعداد صفحه فایل انگلیسی:3
موضوع انگلیسی :Simulation of electrical characteristics of
InP/In0.24Ga0.76As0.73Sb0.27/In0.53Ga0.47As double
heterojunction bipolar transistor
موضوع فارسی:دانلود ترجمه مقاله شبیه سازی مشخصات الکتریکی ترانزیستور دوقطبی دوبل هتروجانکشن
چکیده انگلیسی:Abstract—The electrical characteristics of
InP/In0.24Ga0.76As0.73Sb0.27/In0.53Ga0.47As double heterojunction
bipolar transistor (DHBT) are investigated. The study is based on
energy balance (EB) transport model and TCAD SILVACO
device simulator. InP/In0.24Ga0.76As0.73Sb0.27 DHBT have a low
Emitter-Base conduction band discontinuity EC and a minimum
base bandgap energy EG among the entire composition range of
InxGa1-xAs1-ySby material lattice matched to InP. A low Emitter-
Base turn on voltage VBE and a low collector offset voltage VCE,
as well as a high current gain cut-off frequency, are achieved
چکیده فارسی:مشخصات الکتریکی ترانزیستور دوقطبی دوبل هتروجانکشن (DHBT) بررسی می شود. این تحقیق براساس مدل انتقال تعادل انرژی (EB) و شبیه ساز ابزار TCAD SILVACO است. DHBT Inp/In0/24Ga0/76As0/73Sb0/27 دارای عدم اتصال باند رسانایی بیس – امیتر و حداقل انرژی نوار ممنوعه بیس EG در میان دامنه ترکیب کل لایه مواد InxGat-xAs1-ysby متصل به Inp است. بیس – امیتر پایین، ولتاژ VBE و ولتاژ آفست کلکتور پایین VCE را روشن می کند، همچنین فرکانس برش بهره جریان بالا حاصل می شود.
