دانلود ترجمه مقاله طراحی مدارات مبتنی بر ترانزیستور اثر میدانی نانو تیوب کربنی
ترجمه در قالب فایل Word و قابل ویرایش میباشد
سال انتشار:2013
تعداد صفحه ترجمه:17
تعداد صفحه فایل انگلیسی:8
موضوع انگلیسی :Novel and general carbon nanotube FET-based circuit designs
to implement all of the 39 ternary functions without
mathematical operations
موضوع فارسی:دانلود ترجمه مقاله طراحی مدارات مبتنی بر ترانزیستور اثر میدانی نانو تیوب کربنی
چکیده انگلیسی:a b s t r a c t
In this paper, we propose new universal designs of ternary-valued logic (TVL) with high-speed, low-power and
full swing output using carbon nanotube FETs (CNTFETs). All of the TVL functions (39 functions) can be
implemented in these designs. Ternary value logic is a promising alternative to binary logic due to the reduced
integrated circuit (IC) interconnects and chip area. Therefore, a universal design of TVL is a good direction for
the future of FPGA design using CNTFET. In this paper, new universal designs of ternary-valued logic based on
CNTFETs are proposed and compared with the existing resistive-load CNTFET universal TVL designs. Extensive
simulations have been performed in HSPICE to investigate the distribution of power consumption and the
delay of the CNTFET-based universal cells due to variations in the supply voltage, the diameter of the CNT, and
the room temperature. Simulation results show that the proposed universal TVL designs result in significantly
lower power consumption and delay compared with previous resistive-load CNTFET universal TVL implementations
چکیده فارسی:در این مقاله ، ما یک طراحی جدید عمومی از منطق سه ارزشی (TVL ) را با سرعت بالا ، توان مصرفی کم و خروجی کامل با استفاده از FET های نانو تیوب کربنی را انجام داده ایم . کلیه توابع TVL را می توان در این طراحی پیاده سازی کرد . منطق ارزش سه گانه به علت کاهش دادن اتصالات موجود در مدارات مجتمع و ناحیه تراشه ، جایگزین مناسبی برای منطق باینری محسوب می شود . بنابراین یک طراحی عمومی از TVL ، مسیر خوبی برای اینده طراحی FPGA با استفاده از CNTFET است . در این مقاله ما طراحی عمومی و جدیدی را از منطق سه گانه مبتنی بر CNTFET ها ارائه داده ایم و آن را با طراحی های TVL جهانی مبتنی بر CNTFET مقاومت – خازنی مقایسه کرده ایم . در این پژوهش برای بررسی و ارزیابی توان مصرفی و تاخیر سلول های عمومی مبتنی بر CNTFET شبیه سازی های وسیعی با HSPICE را انجام داده ایم و شبیه سازی را با منابع مختلف تغذیه ، قطر های مختلف CNT و درجه حرارت اتاق انجام داه ایم . نتایج شبیه سازی نشان می دهد که طراحی TVL عمومی پیشنهاد شده در مقایسه با پیاده سازی های TVL عمومی مبتنی بر CNTFET مقاومت بار ، توان مصرفی و تاخیر کمتریی را به وجود می آورند .
