دانلود ترجمه مقاله مشخصات نویز مایکرویو ترانزیستور های اثر میدانی گرافنی
ترجمه در قالب فایل Word و قابل ویرایش میباشد
سال انتشار:2013
تعداد صفحه ترجمه:13
تعداد صفحه فایل انگلیسی:5
موضوع انگلیسی :Microwave noise characterization of graphene field effect transistors
موضوع فارسی:دانلود ترجمه مقاله مشخصات نویز مایکرویو ترانزیستور های اثر میدانی گرافنی
چکیده انگلیسی:The microwave noise parameters of graphene field effect transistors (GFETs) fabricated using
chemical vapor deposition graphene with 1 lm gate length in the 2 to 8 GHz range are reported.
The obtained minimum noise temperature (Tmin) is 210 to 610K for the extrinsic device and 100 to
500K for the intrinsic GFET after de-embedding the parasitic noise contribution. The GFET noise
properties are discussed in relation to FET noise models and the channel carrier transport.
Comparison shows that GFETs can reach similar noise levels as contemporary Si CMOS
technology provided a successful gate length scaling is performed. VC 2014 Author(s). All article
content, except where otherwise noted, is licensed under a Creative Commons Attribution 3.0
Unported License. [http://dx.doi.org/10.1063/1.4861115]
چکیده فارسی:
خلاصه
پارامتر های نویز مایکرویو ترانزیستور های اثر میدانی گرافنی (GFET ) با استفاده از گرافن تبخیر شیمیایی یا طول گیت در محدوده 2 تا 8 گیگا هرتزی ساخته می شوند . حداقل درجه حرارت نویز به دست آمده برای دستگاه خارجی 210K تا 610 K و این مقدار بعد از به حساب نیاوردن سهم نویز پارازیتی برای GFET طبیعی 500 K بوده است . خصوصیات نویز GFET در ارتباط با مدلهای نویز FET و کانال انتقال حامل بحث شده اند . مقایسات نشان می دهند که GFET ها همانند تکنولوژی Si CMOS مرسوم توانایی رسیدن به سطوح مشابه نویز را دارند و به خوبی می توانند مقیاس پذیری سطح گیت را پیاده سازی کنند .
گرافن در تزانزیستور های اثر میدانی با نویز کم و فرکانس بالا به عنوان ماده ایی جدید و نوید بخش می تواند به عنوان کانال استفاده شود . این امر حاصل پراکندگی مخروطی منحصر بفرد با قابلتی تحرک زیاد برای هر دو نوع حامل ها و مسیر سرعت اشباع ذاتی سرعت فیرمی است . از آنجایی که در تحقیق اولین نوع ترانزیستور اثر میدانی گرافنی گیت شده ، تلاش های قابل توجهی برای ارائه آن با فرکانس های بالا انجام شده است با این وجود همچنان مسائلی نظیر تنزل تحرک ناشی از دی الکتریک گیت و لایه سازی زیر لایه یا فلز سنگین برای مقاومت اتصال گرافن حل نشده باقی مانده است . از این رو تنها بعد از قطع اتصال تعبیه ، بالاترین مقادیر فرکانس و گزارش برای GFET به ترتیب 70 GHZ و 427 GHZ بوده است .
