دانلود ترجمه مقاله جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری
ترجمه در قالب فایل Word و قابل ویرایش میباشد
سال انتشار:2008
تعداد صفحه ترجمه:11
تعداد صفحه فایل انگلیسی:4
موضوع انگلیسی :1-Bit Sub Threshold Full Adders in 65nm CMOS Technology
موضوع فارسی:دانلود ترجمه مقاله جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری
چکیده انگلیسی:Abstract: In this paper a new full adder (FA) circuit optimized
for ultra low power operation is proposed. The circuit is based
on modified XOR gates operated in the subthreshold region to
minimize the power consumption. Simulated results using
65nm standarad CMOS models are provided. The simulation
results show a 5% - 20% for frequency ranges from 1 KHz to
20MHz and supply voltages lower than 0.3V
چکیده فارسی:در این مقاله، جمع کننده کامل (FA) نوینی ارائه می‌گردد که برای عملکرد با توانهای بسیار پایین بهینه سازی شده است. مدار مذکور، بر پایه گیتهای XOR اصلاح شده‌ای طراحی گشته که با هدف کمینه سازی مصرف توان در ناحیه زیرآستانه‌ای عمل می کنند. نتایج شبیه سازی شده با مدلهای استاندارد CMOS 65 نانومتر انجام شده است. نتایج شبیه سازی، یک بهبود 5 تا 20 درصدی را در بازه فرکانسی 1Khz تا 20MHz و ولتاژهای تغذیه زیر 0.3V نشان میدهد.
