دانلود ترجمه مقاله ساخت ترانزیستورهای اثرات میدانی نانولوله های کربنی به روش دی الکتروفورسیز AC
ترجمه در قالب فایل Word و قابل ویرایش میباشد
سال انتشار:2014
تعداد صفحه ترجمه:6
تعداد صفحه فایل انگلیسی:5
موضوع انگلیسی :Fabrication of carbon nanotube field effect transistors by AC
dielectrophoresis method
موضوع فارسی:دانلود ترجمه مقاله ساخت ترانزیستورهای اثرات میدانی نانولوله های کربنی به روش دی الکتروفورسیز AC
چکیده انگلیسی:Abstract
Single wall carbon nanotubes (SWNTs) suspended in isopropyl alcohol have been placed between two electrodes by AC dielectrophoresis
method. The number of SWNTs bridging the two electrodes is controlled by SWNT concentration of the suspension
and deposition time. Through selectively burning off the metallic SWNTs by current induced oxidation, the back-gate carbon
nanotube field effect transistors (CNTFETs) with a channel current on–off ratio of up to 7 · 105 have been successfully fabricated.
The success rate of the CNTFETs in 20 samples is 60%. These results suggest that AC dielectrophoresis placement method is an
efficient technique to fabricate CNTFETs with some flexibilities of controlling CNT reconnection, length and orientation.
2004 Elsevier Ltd. All rights reserved.
چکیده فارسی:
چکیده
نانولوله های کربنی تک جداره (SWNTs) معلق در الکل ایزوپروپیل بین دو الکترود به روش در الکتروفورسیز AC جای گرفته اند. تعداد SWNTهای اتصال دهنده دو الکترود توسط غلظت SWNT معلق و زمان رسوب کنترل می شود. از طریق احتراق انتخابی SWNT متالیک با اکسیداسیون حاصل شده جریان، نانولوله های کربنی بازگشت به گیت موجب اثرگذاری بر ترانزیستورها (CNTFET) با جریان کانالی نسبت روشن – خاموش بیش از شده و بطور موفقیت آمیز ساخت آن را در پی داشته اند. میزان موفقیت CNTFET ها در 20 نمونه برابر 60 درصد است. این نتایج نشان می دهد که روش جاگذاری دی الکتروفورسیز AC یک تکنیک کارآمد برای ساخت CNTFET با انعطاف پذیری کنترل اتصال مجدد CNT، طول و جهت آن می باشد.
