دانلود ترجمه مقاله سلول تمام جمع کننده سه گانه مبتنی بر CNTFET های کم مصرف برای نانو الکترونیک ها

دانلود ترجمه مقاله سلول تمام جمع کننده سه گانه مبتنی بر CNTFET های کم مصرف برای نانو الکترونیک ها 
ترجمه در قالب فایل Word و قابل ویرایش میباشد 
سال انتشار:2012
تعداد صفحه ترجمه:18
تعداد صفحه فایل انگلیسی:5

 موضوع انگلیسی :Low Power CNTFET- Based Ternary Full Adder Cell for Nanoelectronics
موضوع فارسی:دانلود ترجمه مقاله سلول تمام جمع کننده سه گانه مبتنی بر CNTFET های کم مصرف برای نانو الکترونیک ها
چکیده انگلیسی:Abstract—In a VLSI circuit, about 70 percent of area occupies by Interconnection. Such a large number of area occupation leads to many limitations of fabricating and applying in binary circuit implementation. Multiple-valued logic is one of the most proper way to improve the ability of value and data transferring in binary systems. Nowadays as small portable devices consuming are largely increased, applying low power approaches are considerably taking into account. In this paper we suggest and evaluate a novel low power ternary full adder cell which is built with CNTFETs (Carbon Nano-Tube Field Effect Transistors). Using beneficial characteristics of CNTFET in our design and implementation notably increased the efficiency of this adder cell. Simulation results using HSPICE are reported to show that the proposed TFA (ternary full adder) consume significantly lower power and impress improvement in term of the power delay product compare to previous work
چکیده فارسی:در یک مدار VLSI ، حدود 70 درصد از فضای تراشه توسط اتصالات مصرف می شود . چنین حجم مصرفی وسیعی منجر به محدودیتهای فراوانی در ساخت و به کار گیری در پیاده سازی مدارات باینری می شود . منطق ارزش چندگانه یکی از مناسب ترین روش ها برای بهبود قابلیت ارزش و انتقال داده ها در سیستم های باینری است . امروزه استفاده از دستگاههایی که انرژی مصرفی پایین تری را می طلبند افزایش یافته است و به صورت قابل توجهی روش های ساخت نیز رو به دستگاههای کم مصرف نهاده اند . در این مقاله ما یک روش نوآورانه با نام سلول تمام جمع کننده سه گانه کم مصرف را پیشنهاد و بررس می کنیم که با CNTFET  ها ( ترانزیستور های اثر میدانی نانو تیوب کربنی ) ساخته شده اند . استفاده از خواص بهینه این گونه ترانزیستور ها در طراحی و پیاده سازی خود به صورت قابل توجهی منجر به افزایش یافتن کارایی این گونه تمام جمع کننده ها شده است . نتایج به دست آمده از شبیه سازی ها که با استفاده از HSPICE انجام شده است نشان می دهند که روش پیشنهادی ( تمام جمع کننده سه گانه ) توان مصرفی بسیار پایینی دارد و در مقایسه با کارعای قبلی سبب بهبود تولید تاخیر توان می شود .


محصولات مرتبط



ارسال نظر

  1. آواتار


    ارسال نظر
درباره نگین فایل
فروشگاه ساز فایل تمامی خدمات لازم برای راه اندازی و ساخت یک فروشگاه را در اختیار شما می گذارد. شما بدون نیاز به هاست ، دامنه ، هزینه های بالای برنامه نویسی و طراحی سایت می توانید فروشگاه خود را ایجاد نمایید .پشتیبانی واتساپ سایت:09054820692 .
آمار فروشگاه
  •   تعداد فروشگاه: 123
  •   تعداد محصول: 37,516
  •   بازدید امروز : 10,563
  •   بازدید هفته گذشته: 95,397
  •   بازدید ماه گذشته: 541,086