دانلود ترجمه مقاله مدلسازی فشرده و اثرات اتصال در ترانزیستورهای لایه نازک آلی یا ترانزیستورهای OTFT
ترجمه در قالب فایل Word و قابل ویرایش میباشد
سال انتشار:2014
تعداد صفحه ترجمه:32
تعداد صفحه فایل انگلیسی:12
موضوع انگلیسی :Compact Modeling and Contact Effects
in Thin Film Transistors
موضوع فارسی:دانلود ترجمه مقاله مدلسازی فشرده و اثرات اتصال در ترانزیستورهای لایه نازک آلی یا ترانزیستورهای OTFT
چکیده انگلیسی:Abstract—A compact model for the current–voltage characteristics
of organic thin-film transistors (OTFTs), which includes the
effects of the contact regions, is proposed. Different physical and
morphological aspects of contacts with organic or other emerging
materials such as graphene, semiconducting dichalcogenides such
as MoS2, or NW devices are described. The electrical behavior
of the contacts is studied in OTFTs, and circuit models that
describe them are reviewed. Two trends are observed in the
current-voltage curves of the contacts of different OTFTs: linear
and nonlinear, and different models are used to explain them.
A unified model for the contact region that reproduces both
trends and gathers the different physical and structural features
of the contacts is developed. It is described by a single parameter
and introduced in a generic analytical model for TFTs.
The variability in OTFT structures, materials, and fabrication
approaches gives rise to a strong variability in the values of
the parameters of the model. In this regard, a characterization
technique to determine the value of the parameters of the model
from experimental data is also developed. Different physical
tests are proposed to validate the results of the technique. The
procedure is applied to recent experimental data for different
pentacene-based transistors. The good agreement between the
experimental data and our analytical results provides a way
to relate the parameters of the model with the physical or
geometrical origin of the contact effects in OTFTs.
چکیده فارسی:یک مدل فشرده برای تعیین ویژگیهای ولتاژ- جریان ترانزیستورهای لایه نازک آلی (OTFT) که در برگیرندۀ اثرات نواحی اتصال (contact regions) میباشد، پیشنهاد شد. حالات فیزیکی و ساختاری مختلف اتصالات با مواد آلی و سایر مواد نوظهور مثل گرافن، دی کالوژنیدها (dichalcogenide )ی نیمه هادی مثل MoS2 یا ابزار نانو سیمی (NW)، تشریح میگردند. رفتار الکتریکی اتصالات در ترانزیستورهای OTFT بررسی میشود و مدلهای مداری که آنها را تشریح میکنند مورد بررسی قرار میگیرند. دو روند در منحنیهای ولتاژ- جریان مشاهده میشوند: خطی (linear) و غیرخطی(nonlinear)، و مدلهای مختلفی برای تشریح آنها مورد استفاده قرار میگیرند. یک مدل یکپارچه شده برای ناحیۀ اتصال (یا ناحیۀ تماسcontact region) که هر دو روند را ایجاد میکند و ویژگیهای فیزیکی و ساختاری مختلف اتصالات در خود جای میدهد، توسعه داده میشود. این مدل بوسیلۀ یک پارامتر تشریح میشود و در یک مدل تحلیلی عمومی برای ترانزیستورهای لایه نازک(TFT) معرفی میگردد. تغییرپذیری در ساختارهای OTFT ، مواد و روشهای ساخت، منجر به انعطاف بسیار زیاد در مقادیر پارامترهای مدل میشود. در این رابطه، یک تکنیک تعیین ویژگی برای مشخص کردن مقدار پارامترهای مدل از داده های آزمایشی نیز توسعه داده میشود. تستهای فیزیکی مختلفی برای اعتبارسنجی نتایج تکنیک پیشنهاد میشوند. این روش روی داده های اخیر آزمایشی برای ترانزیستورهای بر پایۀ پنتاسن (pentacene-based transistors) اعمال میگردد. همخوانی خوب بین داده های آزمایشی و نتایج تحلیلی ما، راهی را برای ارتباط دادن پارامترهای مدل با منبع فیزیکی یا هندسی اثرات اتصالی در ترانزیستورهای OTFT فراهم میسازد.
